Rayon Economie et administration du travail
Taux d'intérêt et chômage

Fiche technique

Format : Broché
Nb de pages : 159 pages
Poids : 165 g
Dimensions : 13cm X 19cm
EAN : 9782724606409

Taux d'intérêt et chômage


Collection(s) | Références
Paru le
Broché 159 pages
Anthony B. Atkinson, Olivier J. Blanchard, Jean-Paul Fitoussi et al.
Public motivé

Quatrième de couverture

Depuis plus d'une décennie, les taux d'intérêt sont, dans le monde, anormalement élevés. Dans le discours des économistes comme dans celui des hommes politiques, ce phénomène est fréquemment présenté comme l'une des causes majeures du ralentissement de la croissance en Europe. Qu'en est-il ? Les conséquences du niveau élevé des taux d'intérêt ne peuvent être analysées indépendamment de leurs causes. Dans cet ouvrage, qui constitue le second rapport du Groupe international de politique économique de l'OFCE, deux analyses nouvelles sont présentées. La première porte sur les causes du phénomène apparemment paradoxal que représente le maintien simultané de taux d'intérêts et de cours boursiers à des niveaux élevés. La seconde s'interroge sur les conséquences sur le chômage d'une insuffisance d'épargne au niveau mondial et des amples fluctuations des taux de change qui ont caractérisé la décennie passée. La conclusion de politique économique semble alors évidente : parce que l'épargne mondiale est un bien public, les politiques budgétaires doivent être coordonnées si l'on veut renouer avec une logique de croissance.

Biographie

Antbony B. Atkinson, professeur d'économie politique à l'Université de Cambridge : Olivier J. Blanchard, professeur d'économie au Massachusetts Institute of Technology (MIT) ; Jean-Paul Fitoussi, professeur d'économie à l'Institut d'études politiques de Paris et président de l'OFCE ; John S. Flemming, directeur de Wadham College à Oxford ; Edmond Malinvaud, professeur au Collège de France ; Edmund S. Phelps, professeur d'écanomie politique à l'Université Columbia ; Robert M. Solow, Prix Nobel d'économie, professeur d'économié au Massachusetts Institute of Technology (MTT).

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